| 发明名称 | 氮化镓晶体衬底 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种氮化镓晶体衬底，该氮化镓晶体衬底包括：第一晶体区，该第一晶体区具有晶体缺陷聚集区(H)，以及第二晶体区，该第二晶体区具有低晶体缺陷区部分(Z)和C面生长区部分(Y)。C面生长区部分(Y)的碳浓度与晶体缺陷聚集区(H)的碳浓度之比为101-105，并且C面生长区部分(Y)的碳浓度与低晶体缺陷区部分(Z)的碳浓度之比为101-105。并且，该C面生长区部分(Y)的碳浓度是1016-1020cm-3。 | ||
| 申请公布号 | CN101805928A | 申请公布日期 | 2010.08.18 |
| 申请号 | CN201010121696.5 | 申请日期 | 2007.06.08 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 冈久拓司;元木健作;上松康二;中畑成二;弘田龙;井尻英幸;笠井仁;藤田俊介;佐藤史隆;松冈彻 |
| 分类号 | C30B29/40(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 孙志湧;穆德骏 |
| 主权项 | 一种氮化镓晶体衬底，包括第一晶体区，所述第一晶体区具有晶体缺陷聚集区(H)，以及第二晶体区，所述第二晶体区具有低晶体缺陷区部分(Z)和C面生长区部分(Y)，其中所述C面生长区部分(Y)的碳浓度与所述晶体缺陷聚集区(H)的碳浓度之比为101-105，并且所述C面生长区部分(Y)的碳浓度与所述低晶体缺陷区部分(Z)的碳浓度之比为101-105，并且所述C面生长区部分(Y)的所述碳浓度是1016-1020cm-3。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||