发明名称 | 渗滤非晶硅太阳能电池 | ||
摘要 | 本发明大体上包括一种太阳能电池和太阳能电池制造工艺。光生电子和电子-空穴可具有短寿命和低迁移率,这让电子或电子-空穴在到达结之前复合。渗滤太阳能电池器件可以缩短电子和电子-空穴到达结所需移动的距离。可以通过沉积具有致孔剂的含硅层,以及随后分解致孔剂以在含硅层中产生诸如微孔的孔,来形成渗滤太阳能电池。在一实施例中,沉积并随后阳极浸蚀含硅层以在含硅层中产生孔。沉积在含硅层上方的层可以延伸到孔中。通过延伸到孔中,可以缩短电子和电子-空穴到达结的距离,并且更多的电子和电子-空穴可以到达结。 | ||
申请公布号 | CN101809750A | 申请公布日期 | 2010.08.18 |
申请号 | CN200880109546.3 | 申请日期 | 2008.10.21 |
申请人 | 应用材料股份有限公司 | 发明人 | 皮特·博登 |
分类号 | H01L31/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/00(2006.01)I |
代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 徐金国;钟强 |
主权项 | 一种太阳能电池制造工艺,包括:在太阳能电池衬底上方形成第一含硅层,所述第一含硅层具有在其中的多个孔;以及在所述第一含硅层上方形成第二含硅层,所述第二含硅层延伸到所述第一含硅层的至少一个孔中。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |