发明名称 薄膜晶体管及其制造方法、具有薄膜晶体管的液晶显示面板及电发光显示面板
摘要 TFT包括栅极、活性层、源极、漏极、和缓冲层。栅极形成在基板上,活性层形成在栅极上。形成在活性层上的源极和漏极分离预定距离。缓冲层形成在活性层与源极及漏极之间。缓冲层具有对应于缓冲层厚度的基本连续变化的含量比。缓冲层被形成以抑制活性层的氧化,并降低接触电阻。
申请公布号 CN1956225B 申请公布日期 2010.08.18
申请号 CN200610152496.X 申请日期 2006.10.09
申请人 三星电子株式会社 发明人 金秉浚;梁成勋;吴旼锡;崔在镐;崔龙模
分类号 H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/15(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I;G02F1/136(2006.01)I 主分类号 H01L29/786(2006.01)I
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人 李伟
主权项 一种薄膜晶体管,包括:栅极,形成在底部基板上;活性层,形成在所述栅极上,以覆盖所述栅极,所述活性层包括第一材料;源极和漏极,形成在所述活性层上,所述源极与所述漏极分开预定距离;以及缓冲层,形成在所述活性层与所述源极之间以及所述活性层与所述漏极之间,所述缓冲层被形成以抑制所述活性层的氧化,其中,所述缓冲层包括第二材料,所述第二材料与所述活性层中的第一材料结合在一起形成化合物,并且所述第二材料具有与所述缓冲层的厚度对应的连续变化的层含量比。
地址 韩国京畿道