图像传感器及其形成方法

摘要

一种图像传感器，包括：位于相邻像素单元区域的光电二极管区域之间的器件隔离层；位于半导体衬底表面下光电二极管区域的具有第一导电类型的第一掺杂阱及位于第一掺杂阱下具有第二导电类型的第二掺杂阱；在半导体衬底中还形成贯穿器件隔离层的深沟槽，所述深沟槽的底部位于第二掺杂阱之下。本发明通过采用深沟槽对像素单元之间的光电二极管区域进行隔离，能够有效地阻止相邻像素单元的光电二极管区域产生漏电流；同时由于深沟槽贯穿器件隔离层，其底部位于光电二极管的第一掺杂阱之下，因此没有减小光电二极管区域面积，使得光电二极管性能得到保证。

主权项

一种图像传感器，包括：具有第一导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底包括第一像素单元区域和第二像素单元区域，每个像素单元区域具有光电二极管区域；位于半导体衬底中的、第一像素单元区域的光电二极管区域和第二像素单元区域的光电二极管区域之间的器件隔离层；位于光电二极管区域具有第二导电类型的第一掺杂阱，所述第二导电类型与第一导电类型相反；位于半导体衬底表面下第一掺杂阱上的具有第一导电类型的第二掺杂阱；其特征在于，在半导体衬底中还形成有深沟槽，所述深沟槽贯穿所述器件隔离层，贯穿位置不超出所述器件隔离层所在区域，所述深沟槽具有底部和侧壁、填充于深沟槽的底部和侧壁的第一绝缘层，所述深沟槽底部位于第一掺杂阱之下。