一种提纯硅的方法

摘要

本发明涉及一种提纯硅的方法，该方法步骤为：将由高纯铝和待提纯硅制备的铝硅合金和待提纯硅紧密接触地置于封闭环境后在真空条件下加热，铝硅合金锭熔化形成铝硅熔体；当铝硅熔体和待提纯硅的界面处和自由端的温度分别达到900℃和800℃时保持恒温，使左端界面处析出提纯硅；当提纯硅开始析出后，与析出硅的生长速度同步向待提纯硅的方向移动加热装置，以保持铝硅熔体两端的温度；当待提纯硅溶解完毕时，降温、恢复气压后切下析出的提纯硅。经过本发明的提纯过程，可同时有效去除4N或5N级硅中的硼、磷及其他杂质，使硅的纯度得到进一步的提高，更稳定地满足太阳能电池对高纯硅的要求。

主权项

一种提纯硅的方法，其特征在于，步骤如下：(1)将由4N或5N级铝和4N或5N级硅制备的铝硅合金和待提纯硅紧密接触地置于封闭环境后抽真空，当气压低于10-2Pa时加热，铝硅合金熔化形成铝硅熔体；(2)控制加热装置，使铝硅熔体和待提纯硅的界面温度达到900℃，且铝硅熔体的自由端温度达到800℃，此后保持恒温，使铝硅熔体的自由端析出提纯硅；(3)提纯硅的结晶开始析出后，与析出硅的生长速度同步地调整加热装置，保持铝硅熔体两端的温度；(4)当待提纯硅溶解完毕时，降温至室温，恢复气压后取出炉料，将析出的提纯硅切下。