一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体薄膜的退火炉结构

摘要

本发明是设计一种能够满足柔性衬底上沉积II-VI族化合物薄膜的退火炉结构。选用移动式近空间退火方式为主，辅以热气流进行对流加热。在一个相对封闭的容器内，安装一个可以快速升降的平面加热板。容器壁为两层结构，中间通水进行冷却，使得容器壁在整个退火过程中保持为冷壁。容器在两端开一狭缝口，便于样品进出。样品放置于一个传输带上，由传输带将样品携带如容器中。快速升降的加热板背向样品的一面由保温材料包裹，避免热量辐射到容器壁，从而升高整个容器内的温度。当其II-VI族化合物薄膜温度上升到其退火温度后，立即提升加热板，从而避免对II-VI族化合物薄膜的柔性衬底加热。

主权项

一种II-VI族化合物半导体薄膜的退火炉结构，具有可以快速移动的加热板；在加热板上开有一定分布的通气为孔；工作气体由微孔中喷出。