| 发明名称 | 电荷俘获非挥发半导体存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种电荷俘获非挥发半导体存储器及其制造方法。所述电荷俘获非挥发半导体存储器包括半导体衬底、源极区域、漏极区域、依次形成在所述半导体衬底上的隧道绝缘层、电荷俘获层、阻挡绝缘层和栅电极。所述漏极区域及源极区域均包括金属半导体结。本发明电荷俘获非挥发半导体存储器的编程电压低、编程速度快、功耗较低、可靠性较高。 | ||
| 申请公布号 | CN101807578A | 申请公布日期 | 2010.08.18 |
| 申请号 | CN201010125661.9 | 申请日期 | 2010.03.16 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 吴东平;张世理 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种电荷俘获非挥发半导体存储器，其包括半导体衬底、源极区域、漏极区域、依次形成在所述半导体衬底上的隧道绝缘层、电荷俘获层、阻挡绝缘层和栅电极，其特征在于：所述漏极区域及源极区域均包括金属半导体结。 | ||
| 地址 | 200433 上海市邯郸路220号 | ||