用于多结太阳电池的GaAs/InP晶片低温直接键合方法

摘要

一种用于多结太阳电池的GaAs/InP晶片低温直接键合方法，包括如下步骤：步骤1：将单面抛光的GaAs、InP晶片在多种有机溶剂中反复煮洗，以去掉晶片表面的残留有机物分子，并初步提高晶片表面的亲水性；步骤2：将步骤1处理后的GaAs、InP晶片，分别进行去金属氧化物处理、去C元素处理和亲水性处理；步骤3：在键合夹具的协助下，将亲水处理后的GaAs、InP晶片在去离子水中对准晶向并贴合；步骤4：将贴合后的晶片置于干燥箱中烘干，除去贴合晶片表面水份和界面部分水气，形成晶片间范德瓦耳斯结合；步骤5：进行低温退火，退火后对GaAs晶片单面减薄；步骤6：进行高温退火，最终实现键合界面的原子原子键结合，完成GaAs、InP晶片低温键合过程。

主权项

一种用于多结太阳电池的GaAs/InP晶片低温直接键合方法，包括如下步骤：步骤1：将单面抛光的GaAs、InP晶片在多种有机溶剂中反复煮洗，以去掉晶片表面的残留有机物分子，并初步提高晶片表面的亲水性；步骤2：将步骤1处理后的GaAs、InP晶片，分别进行去金属氧化物处理、去C元素处理和亲水性处理；步骤3：在键合夹具的协助下，将亲水处理后的GaAs、InP晶片在去离子水中对准晶向并贴合；步骤4：将贴合后的晶片置于干燥箱中烘干，除去贴合晶片表面水份和界面部分水气，形成晶片间范德瓦耳斯结合；步骤5：进行低温退火，退火后对GaAs晶片单面减薄；步骤6：进行高温退火，最终实现键合界面的原子原子键结合，完成GaAs、InP晶片低温键合过程。