一种使用SiGe源极的栅控PNPN场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种使用SiGe源极的凹陷沟道型栅控PNPN场效应晶体管。一方面，窄禁带宽度的源极材料使得栅控PNPN场效应晶体管的驱动电流上升；另一方面，凹陷型的沟道结构抑制了栅控PNPN场效应晶体管漏电流的增加。同时，本发明还提出了一种使用SiGe源极的凹陷沟道型栅控PNPN场效应晶体管的制造方法。

主权项

一种栅控PNPN场效应晶体管，其特征在于该场效应晶体管结构包括：一个具有第一种掺杂类型的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的具有第二种掺杂类型的漏区；在所述半导体衬底内靠近漏区的一侧形成的凹陷沟道区域；在所述半导体衬底上凹陷沟道区域的非漏区侧形成的具有第二种掺杂类型的SiGe耗尽区；在所述SiGe耗尽区之上形成的具有第一种掺杂类型的SiGe源区；在所述凹陷沟道区域之上形成的覆盖整个凹陷沟道区域的栅区；在所述栅区两侧形成的覆盖整个栅区两侧面的第一种绝缘薄膜边墙；以第二种绝缘薄膜覆盖所述源区、漏区、栅区以及边墙区；在所述源区、漏区以及栅区形成的导电材料的电极。