发明名称 |
一种钛酸钡基半导体陶瓷的高能球磨制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种制备钛酸钡基PTC半导体陶瓷细晶结构的方法,该方法以碳酸钡、二氧化钛、氧化钇、硝酸锰、碳酸锶或/和碳酸钙为原料,用直径为1~2mm的ZrO2小球、厚度为1μm的缝隙过滤浆料、转速为1400~2400rpm、球磨时间为1~3小时,最终获得粒径大小为20~50nm的钛酸钡基PTC粉体;然后再分散剂、粘合剂和增塑剂进行混合球磨3~5小时,然后静置5~12小时去除气泡及物理团聚,最后进行过筛处理获得流延浆料;最后对流延浆料进行流延操作,制备钛酸钡陶瓷生坯。获得的片式细晶PTC,其特征在于磁体晶粒大小在2微米以下,室温电阻率≤120Ω·cm,升阻比≥4×103,居里温度在80~120℃。 |
申请公布号 |
CN101805178A |
申请公布日期 |
2010.08.18 |
申请号 |
CN201010100562.5 |
申请日期 |
2010.01.22 |
申请人 |
华中科技大学 |
发明人 |
周东祥;龚树萍;傅邱云;刘欢;赵俊;张波 |
分类号 |
C04B35/468(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;B02C17/00(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/468(2006.01)I |
代理机构 |
华中科技大学专利中心 42201 |
代理人 |
曹葆青 |
主权项 |
一种制备钛酸钡基PTC半导体陶瓷细晶结构的方法,其特征在于,该方法包括下述步骤:(1)将碳酸钡、二氧化钛、氧化钇、硝酸锰、碳酸锶或/和碳酸钙按下述化合物摩尔组分比混合;BaCO3 80~120,TiO2 80~120,Y2O3 0.2~0.5,Mn(NO3)20.02~0.04,SrCO3或/和CaCO3 5~30;(2)以每100质量单位混合物计,称量2~4质量单位的二氧化硅加入进行球磨混合3~5小时后,将所得浆料进行烘干、预烧处理,合成掺杂改性的钛酸钡粉体;(3)将获得的钛酸钡粉体进行高能超细球磨,高能超细球磨采用直径为1~2mm的ZrO2小球、厚度为0.5~2μm的缝隙过滤浆料、转速为1400~2400rpm、球磨时间为1~3小时,最终获得粒径大小为20~50nm的钛酸钡基PTC粉体;;(4)以每100质量单位的钛酸钡粉体计,称量以下原料:50~60质量单位的三氯乙烯和20~30质量单位乙醇混合配制的溶剂,3~6质量单位的磷酸三丁酯作为分散剂,进行混合球磨3~5小时后,再次加入8~12质量单位的聚乙烯醇缩丁醛树脂和50~60质量单位的乙醇混合配制的粘合剂,6~10质量单位的邻苯二甲酸二丁酯作为增塑剂进行混合球磨3~5小时,然后静置5~12小时去除气泡及物理团聚,最后进行过筛处理获得流延浆料;(5)对流延浆料进行流延处理,得到所需的陶瓷生坯,切片后再进行烧结处理,获得所需的片式细晶陶瓷。 |
地址 |
430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 |