发明名称 固体摄像装置
摘要 本发明提供一种固体摄像装置,对于在硅基板的贯通孔内形成的贯通电极,能够降低在硅基板和导电体层之间产生的短路不良。在固体摄像装置中,在半导体基板的第一主面上形成有摄像元件,在上述半导体基板的与上述第一主面相对置的第二主面上形成有外部端子。在开设于上述半导体基板的贯通孔内形成有绝缘膜。在上述贯通孔内的上述绝缘膜上形成有贯通电极,与上述外部端子电连接。在上述半导体基板的上述第一主面上和上述贯通电极上形成有第一层间绝缘膜。在上述第一层间绝缘膜上形成有第一电极。在上述贯通电极和上述第一电极之间的上述第一层间绝缘膜内形成有第一接触插塞,将上述贯通电极和上述第一电极电连接。
申请公布号 CN101807592A 申请公布日期 2010.08.18
申请号 CN201010116043.8 申请日期 2010.02.09
申请人 株式会社东芝 发明人 斋藤真梨子;井上郁子
分类号 H01L27/146(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 杨谦;胡建新
主权项 一种固体摄像装置,具有:摄像元件,形成在半导体基板的第一主面上;外部端子,形成在上述半导体基板的与上述第一主面相对置的第二主面上;绝缘膜,形成在上述半导体基板上开设的贯通孔内;贯通电极,形成在上述贯通孔内的上述绝缘膜上,与上述外部端子电连接;第一层间绝缘膜,形成在上述半导体基板的上述第一主面上和上述贯通电极上;第一电极,形成在上述第一层间绝缘膜上;以及第一接触插塞,形成在上述贯通电极和上述第一电极之间的上述第一层间绝缘膜内,将上述贯通电极和上述第一电极电连接。
地址 日本东京都