| 发明名称 | 半导体发光器件和包括其的发光器件封装 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体发光器件和包括其的发光器件封装。所述半导体发光器件包括多个化合物半导体层、电极层、导电支撑构件和第一缓冲构件。所述化合物半导体层包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层。所述电极层设置在所述多个化合物半导体层下方。所述导电支撑构件设置在所述电极层下方。所述第一缓冲构件嵌入所述导电支撑构件中以间隔开。 | ||
| 申请公布号 | CN101807637A | 申请公布日期 | 2010.08.18 |
| 申请号 | CN201010121491.7 | 申请日期 | 2010.02.20 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 郑畴溶 |
| 分类号 | H01L33/12(2010.01)I;H01L33/48(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/12(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;王春伟 |
| 主权项 | 一种半导体发光器件，包括：包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的多个化合物半导体层；在所述多个化合物半导体层下方的电极层；在所述电极层下方的导电支撑构件；和嵌入所述导电支撑构件中以间隔开的第一缓冲构件。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||