| 发明名称 |
一种半导体材料 |
| 摘要 |
新型半导体材料涉及新型半导体材料系列Hg2Q2X2(Q＝S，Se，Te；X＝Cl，Br，I)。本材料采用固相反应法制备，用HgX2和Q粉，真空密封后加热反应合成并同时制备单晶体。该晶体用于直流输电、太阳能电池以及用于光电开关。 |
| 申请公布号 |
CN1966401B |
申请公布日期 |
2010.08.18 |
| 申请号 |
CN200510119536.6 |
申请日期 |
2005.11.14 |
| 申请人 |
中国科学院福建物质结构研究所 |
发明人 |
陈文通;郭国聪;邹建平;赵振乾;王明盛 |
| 分类号 |
H01L31/032(2006.01)I;C01B19/00(2006.01)I;C01G13/00(2006.01)I;C30B29/46(2006.01)I;C30B1/10(2006.01)I;H01B1/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/032(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
1.一种半导体材料，其特征在于：该半导体材料的分子式为Hg<sub>2</sub>Te<sub>2</sub>Br<sub>2</sub>，空间群为P4(3)2(1)2(No92)，其单胞参数为a＝b＝10.2388(4)<img file="FSB00000032664000011.GIF" wi="55" he="60" />c＝14.4799<img file="FSB00000032664000012.GIF" wi="55" he="60" />α＝β＝γ＝90°，Z＝8，单胞体积V＝1518.0(3)<img file="FSB00000032664000013.GIF" wi="82" he="56" /> |
| 地址 |
350002 福建省福州市杨桥西路155号 |
