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发明名称
Method for forming the contact hall of semiconductor memory device
摘要
申请公布号
KR100976684(B1)
申请公布日期
2010.08.18
申请号
KR20080075748
申请日期
2008.08.01
申请人
发明人
分类号
H01L21/28
主分类号
H01L21/28
代理机构
代理人
主权项
地址
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