发明名称 |
中孔纳米颗粒层的构图方法 |
摘要 |
在导电性基板上将中孔纳米颗粒层构图的方法,包括以下步骤:在该导电性基板上沉积图案,通过原子层沉积在该基板上沉积二氧化钛层,用溶剂除去该底层图案以留下二氧化钛的离散区域,在整个基板上沉积中孔纳米颗粒层,和通过原子层沉积在该中孔纳米颗粒层上面沉积二氧化钛的第二层藉此中孔纳米颗粒层和第二二氧化钛层的在其中用溶剂除去第一二氧化钛层的区域上的区域脱落,留下图案化中孔纳米颗粒层。 |
申请公布号 |
CN101809194A |
申请公布日期 |
2010.08.18 |
申请号 |
CN200880109109.1 |
申请日期 |
2008.09.09 |
申请人 |
伊斯曼柯达公司 |
发明人 |
J·贝克 |
分类号 |
C23C16/455(2006.01)I;H01G9/20(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/455(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
赵苏林;韦欣华 |
主权项 |
在导电性基板上将中孔纳米颗粒层构图的方法,包括以下步骤:在该导电性基板上沉积图案,通过原子层沉积在该基板上沉积二氧化钛层,用溶剂除去底下的图案以留下二氧化钛的离散区域,在整个基板上沉积中孔纳米颗粒层,和通过原子层沉积在该中孔纳米颗粒层上面沉积二氧化钛的第二层,藉此在以溶剂除去第一二氧化钛层的区域上,中孔纳米颗粒层和第二二氧化钛层的区域脱落,留下图案化中孔纳米颗粒层。 |
地址 |
美国纽约州 |