| 发明名称 | 半导体发光器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的发光结构；在所述发光结构之下沿着所述发光结构的外周部分形成的多个隔离层；在所述隔离层之间设置的金属层；以及在所述发光结构之下形成的第二电极层。 | ||
| 申请公布号 | CN101807635A | 申请公布日期 | 2010.08.18 |
| 申请号 | CN201010121557.2 | 申请日期 | 2010.02.20 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 丁焕熙 |
| 分类号 | H01L33/10(2010.01)I;F21S8/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/10(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;王春伟 |
| 主权项 | 一种半导体发光器件，包括：包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的发光结构；在所述发光结构之下沿所述发光结构外周部分形成的多个隔离层；插入所述隔离层之间的金属层；和在所述发光结构之下形成的第二电极层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||