发明名称 |
图像传感器及其制造方法 |
摘要 |
一种图像传感器及其制造方法,所述方法可包括:在半导体衬底的有源区中形成包括光电二极管结构和绝缘膜结构的像素阵列;在所述绝缘膜结构上形成金属焊盘;在所述金属焊盘上(以及可选地在所述像素阵列上方)形成介电和/或蚀刻停止膜;在所述介电和/或蚀刻停止膜上形成保护层;以及通过蚀刻所述保护层来形成焊盘开口和像素开口。本发明的图像传感器及其制造方法能够简化工艺,并且能够减小光电二极管的焦距以及使得因不同材料之间的折射率差而产生的光反射受到抑制,从而能够提高灵敏度。 |
申请公布号 |
CN101207146B |
申请公布日期 |
2010.08.18 |
申请号 |
CN200710199379.3 |
申请日期 |
2007.12.20 |
申请人 |
东部高科股份有限公司 |
发明人 |
任基植;玄佑硕 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
郑小军 |
主权项 |
一种用于制造图像传感器的方法,包括以下步骤:在半导体衬底的有源区中形成像素阵列,所述像素阵列包括光电二极管结构和绝缘膜结构;在所述绝缘膜结构上形成金属焊盘;在所述金属焊盘上形成介电膜;在所述介电膜上形成保护层;通过蚀刻所述保护层来形成焊盘开口和像素开口,在蚀刻所述保护层时,使用包括氮化物的所述绝缘膜结构和所述金属焊盘上的介电膜作为蚀刻停止层,从而同时形成所述焊盘开口和所述像素开口;除去所述像素开口中的介电膜以暴露所述绝缘膜结构的表面;以及在所述像素开口中形成滤色镜阵列,以使其接触所述绝缘膜结构的表面。 |
地址 |
韩国首尔 |