| 发明名称 | 非易失性存储器件及其操作方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种非易失性存储器件以及操作所述非易失性存储器件的方法。该非易失性存储器件包括开关器件和连接至所述开关器件的存储节点，其中，所述存储节点包括：连接至所述开关器件的下部金属层；依次叠置于所述下部金属层上的第一绝缘层、中间金属层、第二绝缘层、上部金属层和纳米层。 | ||
| 申请公布号 | CN101026177B | 申请公布日期 | 2010.08.18 |
| 申请号 | CN200610136107.4 | 申请日期 | 2006.10.11 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 文昌郁;李殷洪;赵重来;李升运 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L27/10(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 一种包括开关器件和连接至所述开关器件的存储节点的非易失性存储器件，其中，所述存储节点包括：连接至所述开关器件的下部金属层；依次叠置于所述下部金属层上的第一绝缘层、中间金属层、第二绝缘层、上部金属层和纳米层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||