发明名称 |
一种磁共振设备的匀场结构 |
摘要 |
本实用新型涉及一种磁共振设备的匀场结构,分别在磁共振设备的磁体上、下极磁钢部分的中心位置嵌入式安装中心匀场结构;分别在上、下极极头四周外侧每45±5度设置外周匀场结构,外周匀场结构的数量为1个和2个相间设置,上、下极的中心匀场结构位置对称,上、下极极头的外周匀场结构位置对称。本实用新型结构简单,易于安装,缩短了调试时间,操作方便,便于培训,大量减少使用钐钴磁片的数量,节省调试成本,提高磁体的稳定性。 |
申请公布号 |
CN201555939U |
申请公布日期 |
2010.08.18 |
申请号 |
CN200920203795.0 |
申请日期 |
2009.09.30 |
申请人 |
沈阳东软波谱磁共振技术有限公司 |
发明人 |
高国灿;孙岩;陈瑜;朱妍 |
分类号 |
G01R33/38(2006.01)I;A61B5/055(2006.01)I |
主分类号 |
G01R33/38(2006.01)I |
代理机构 |
沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 |
代理人 |
李晓光 |
主权项 |
一种磁共振设备的匀场结构,其特征在于:分别在磁共振设备的磁体上、下极(1、2)磁钢部分的中心位置嵌入式安装中心匀场结构(3);分别在上、下极极头四周外侧每45±5度设置外周匀场结构(4),外周匀场结构的数量为1个和2个相间设置,上、下极(1、2)的中心匀场结构(3)位置对称,上、下极极头的外周匀场结构(4)位置对称。 |
地址 |
110179 辽宁省沈阳市浑南高新技术产业开发区东软软件园 |