一种硅双向触发二极管的制造方法

摘要

本发明公开了一种硅双向触发二极管的制造方法。包括如下步骤：1)在N-型硅单晶片的正反两个面上同时完成P+型半导体杂质扩散，得到P+/N-/P+结构；2)研磨P+/N-/P+结构硅片的正反两个表面；3)在P+/N-/P+结构硅片的正反两个表面镀上镍层；4)将P+/N-/P+结构的硅片锯切成二极管芯片；5)通过隧道炉将二极管芯片与封装底座焊接；6)进行二极管垂直台面的酸腐蚀清洗，PN结的表面钝化，压模成型，制成硅双向触发二极管。本发明采用硅单晶研磨片来代替硅外延片作为制造垂直台面PN结硅双向触发二极管的基片材料，可简化硅双向触发二极管的制造工艺流程，缩短生产周期，降低成本，提高产品性价比。

主权项

一种硅双向触发二极管的制造方法，其特征在于包括如下步骤：1)在N-型硅单晶片的正反两个面上同时完成P+型半导体杂质扩散，得到P+/N-/P+结构；2)研磨P+/N-/P+结构硅片的正反两个表面；3)在P+/N-/P+结构硅片的正反两个表面镀上镍层；4)将P+/N-/P+结构的硅片锯切成二极管芯片；5)通过隧道炉将二极管芯片与封装底座焊接；6)进行二极管垂直台面的酸腐蚀清洗，PN结的表面钝化，压模成型，制成硅双向触发二极管。