一种高出光效率GaN基发光二极管的制备方法

摘要

一种高出光效率GaN基发光二极管的制备方法，涉及一种发光二极管。制备LED的掩膜版，形成粗化的侧面；将光刻后的外延片从P型表面到N型GaN面刻蚀，刻蚀出台面结构，形成与台面高度相同的粗化结构，形成粗化的侧面；在具有台面结构的GaN基LED外延片表面涂上正性胶，在样品表面沉积Ti/Al/Ti/Au金属层得N电极；在具有台面结构和N电极的GaN基LED外延片表面涂上正性胶，在样品表面沉积Ni/Au金属层得P型电流扩展层；在具有电流扩展层的GaN基LED外延片表面涂上正性胶，在样品表面沉积一层Au得P电极；在具有电极结构的GaN基LED外延片表面沉积一层SiO2。

主权项

一种高出光效率GaN基发光二极管的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)制备LED的掩膜版，掩膜版的图形边缘具有粗化结构，将所述粗化结构转移到外延片上，形成粗化的侧面；2)在外延片P型表面涂上光刻胶，进行对准、曝光、显影、烘干，然后进行腐蚀，将光刻后的外延片，通过ICP刻蚀方法，从P型表面到N型GaN面刻蚀，刻蚀出台面结构，形成与台面高度相同的粗化结构，形成粗化的侧面；3)在具有台面结构的GaN基LED外延片表面涂上正性胶，进行对准、曝光、显影、烘干之后，利用磁控溅射技术在样品表面沉积Ti/Al/Ti/Au金属层，然后剥离，得到N电极；4)在具有台面结构和N电极的GaN基LED外延片表面涂上正性胶，进行对准、曝光、显影、烘干之后，利用电子束蒸发方法在样品表面沉积Ni/Au金属层，然后剥离，得到P型电流扩展层；5)在具有电流扩展层的GaN基LED外延片表面涂上正性胶，进行对准、曝光、显影、烘干之后，利用电子束蒸发方法在样品表面沉积一层Au，形成P电极；6)最后用低压化学气相沉积系统在具有电极结构的GaN基LED外延片表面沉积一层薄的SiO2，再经过光刻和腐蚀工艺，在器件表面形成一层保护膜，只露出电极部分，得高出光效率GaN基发光二极管。