发明名称 |
垂直磁记录介质和磁记录再生装置 |
摘要 |
本发明涉及一种垂直磁记录介质,它是在非磁性基板上至少具有衬里层、取向控制层、磁记录层和保护层的垂直磁记录介质,其特征在于,磁记录层由两层以上构成,从所述非磁性基板侧起包含第一磁记录层和第二磁记录层,关于各磁记录层的晶体磁各向异性能量Ku,第一磁记录层为4×106erg/cc以上,第二磁记录层为2×106erg/cc以下。第一磁记录层由CoCrPtRu磁性合金晶粒和氧化物形成的晶界部构成,在第一磁记录层的平面TEM观察中,晶界部面积为全体的30%以上。另外,本发明还涉及使用了该垂直磁记录介质的磁记录再生装置。 |
申请公布号 |
CN101809659A |
申请公布日期 |
2010.08.18 |
申请号 |
CN200880109319.0 |
申请日期 |
2008.09.30 |
申请人 |
昭和电工株式会社 |
发明人 |
佐佐木有三 |
分类号 |
G11B5/66(2006.01)I;G11B5/65(2006.01)I |
主分类号 |
G11B5/66(2006.01)I |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 11247 |
代理人 |
段承恩;陈海红 |
主权项 |
一种垂直磁记录介质,是在非磁性基板上至少具有衬里层、取向控制层、磁记录层和保护层的垂直磁记录介质,其特征在于,磁记录层由两层以上构成,从所述非磁性基板侧起包含第一磁记录层和第二磁记录层,各磁记录层的晶体磁各向异性能量Ku在第一磁记录层为4×106erg/cc以上而在第二磁记录层为2×106erg/cc以下,第一磁记录层由CoCrPtRu磁性合金晶粒和氧化物形成的晶界部构成,在第一磁记录层的平面TEM观察中,晶界部面积为全体的30%以上。 |
地址 |
日本东京都 |