| 发明名称 | 半导体发光器件 | ||
| 摘要 | 公开了一种半导体发光器件。半导体发光器件包括：包括第一导电半导体层、在第一导电半导体层下的有源层、和在有源层下的第二导电半导体层的发光结构；在发光结构下的沟道层，其中沟道层的内部部分沿发光结构的外周部分设置，沟道层的外部部分延伸到发光结构之外；和发光结构下的第二电极层。 | ||
| 申请公布号 | CN101807645A | 申请公布日期 | 2010.08.18 |
| 申请号 | CN201010121577.X | 申请日期 | 2010.02.20 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 丁焕熙 |
| 分类号 | H01L33/20(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/20(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;王春伟 |
| 主权项 | 一种半导体发光器件，包括：包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下的有源层和在所述有源层下的第二导电半导体层的发光结构；在所述发光结构下的沟道层，其中所述沟道层的内部部分沿所述发光结构的外周部分设置，所述沟道层的外部部分延伸到所述发光结构之外；和在所述发光结构下的第二电极层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||