| 发明名称 | 带有多量子阱结构的光电子半导体芯片 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种光电子半导体芯片，其具有有源区(20)，该有源区包含设计用于产生电磁辐射的多量子阱结构，该多量子阱结构具有多个相继的量子阱层(210，220，230)。多量子阱结构具有至少一个第一量子阱层(210)，其被n导电地掺杂并且设置在与所述第一量子阱层(210)邻接的n导电地掺杂的两个势垒层(250)之间。多量子阱结构具有第二量子阱层(220)，其未掺杂并且设置在与所述第二量子阱层邻接的两个势垒层(250，260)之间，其中一个势垒层n导电地掺杂而另一个未掺杂。此外，多量子阱结构具有至少一个第三量子阱层(230)，其未掺杂并且设置在与所述第三量子阱层邻接的未掺杂的两个势垒层(260)之间。 | ||
| 申请公布号 | CN101809767A | 申请公布日期 | 2010.08.18 |
| 申请号 | CN200880108978.2 | 申请日期 | 2008.09.12 |
| 申请人 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发明人 | 彼得·施陶斯;马蒂亚斯·彼得;亚历山大·沃尔特 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 陈炜;许伟群 |
| 主权项 | 一种光电子半导体芯片，具有有源区(20)，该有源区包含设计用于产生电磁辐射的多量子阱结构，该多量子阱结构包含多个相继的量子阱层(210，220，230)，其中所述多量子阱结构具有：-至少一个第一量子阱层(210)，其n导电地掺杂并且设置在与所述第一量子阱层(210)邻接的、n导电地掺杂的两个势垒层(250)之间，-第二量子阱层(220)，其未掺杂并且设置在两个与所述第二量子阱层邻接的势垒层(250，260)之间，其中一个势垒层n导电地掺杂而另一个未掺杂，以及-至少一个第三量子阱层(230)，其未掺杂并且设置在与所述第三量子阱层邻接的、未掺杂的两个势垒层(260)之间。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||