发明名称 |
CMOS摄像元件 |
摘要 |
CMOS摄像元件由排列为矩阵状的多个CMOS光电传感器构成,在列方向相邻的第一CMOS光电传感器和第二CMOS光电传感器形成于在半导体基板上由元件分离区域划分成的、单一的、连续的元件区域中。 |
申请公布号 |
CN1993832B |
申请公布日期 |
2010.08.18 |
申请号 |
CN200480043633.5 |
申请日期 |
2004.07.20 |
申请人 |
富士通微电子株式会社 |
发明人 |
大川成实 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H04N5/335(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
张龙哺 |
主权项 |
一种CMOS摄像元件,由排列为矩阵状的多个CMOS光电传感器构成,其特征在于,在列方向相邻的第一CMOS光电传感器和第二CMOS光电传感器,形成于在半导体基板上由元件分离区域划分成的、单一的、连续的元件区域中,并共有浮动扩散区域、复位晶体管、选择晶体管以及读出晶体管,上述元件区域由第一元件区域部分和第二元件区域部分构成,该第一元件区域部分在上述半导体基板上沿上述列方向延伸,该第二元件区域部分从上述第一元件区域部分分支,与上述第一元件区域部分平行地延伸,并在上述行方向上与上述第一元件区域部分隔开间隔,各CMOS光电传感器由以下部分构成:光电二极管,浮动扩散区域,其用于蓄积由上述光电二极管形成的光生载流子,复位晶体管,其由复位控制信号驱动,用于使上述浮动扩散区域复位,传送栅极晶体管,其由传送控制信号驱动,用于控制向上述浮动扩散区域传送上述光生载流子,读出晶体管,其用于检测在上述浮动扩散区域由上述光生载流子所感应的电压变化,选择晶体管,其由选择控制信号所控制,用于有选择地输出上述读出晶体管的输出信号;上述第一CMOS光电传感器和上述第二CMOS光电传感器,在上述第一元件区域部分中共有各自的浮动扩散区域作为共有浮动扩散区域;构成上述第一CMOS光电传感器的光电二极管的第一扩散区域和构成上述第二CMOS光电传感器的光电二极管的第二扩散区域,在上述第一元件区域部分中隔着上述共有浮动扩散区域在上述列方向上对置;在上述共有浮动扩散区域和上述第一扩散区域之间,设置有上述第一CMOS光电传感器的传送栅极晶体管;在上述共有浮动扩散区域和上述第二扩散区域之间,设置有上述第二CMOS光电传感器的传送栅极晶体管,在上述第二元件区域部分中,共有各自的复位晶体管作为共有复位晶体管,上述第一元件区域部分和上述第二元件区域部分通过第三元件区域部分连接,该第三元件区域部分在上述元件分离区域中从上述共有浮动扩散区域延伸出来以构成上述共有浮动扩散区域的一部分,在上述第二元件区域部分形成有单一的电源接触孔,在上述第二元件区域部分中的相对上述单一的电源接触孔位于接近上述第三元件区域部分一侧的位置,形成有上述共有复位晶体管。 |
地址 |
日本东京都 |