制造快闪存储器件的方法

摘要

本发明提供一种制造快闪存储器件的方法，包括蚀刻在基板上方设置的绝缘层以形成接触孔从而定义暴露在该基板上形成的结区域的接触孔。以第一导电材料填充该接触孔，该第一导电材料接触该结区域且延伸于该接触孔的上表面上方。蚀刻该第一导电材料以部分填充该接触孔，从而该第一导电材料填充该接触孔的下部分，其中该接触孔的上部分因该第一导电材料的蚀刻而保持未被填充，其中所述被蚀刻的第一导电材料定义接触塞。在该接触塞上方形成第一电介质层和第二电介质层，藉以填充该接触孔的上部分。蚀刻该第一和第二电介质层的一部分以暴露该接触塞和该接触孔的上部分。在该接触塞上形成第二导电材料且填充该接触孔的上部分来形成位线。

主权项

一种制造快闪存储器件的方法，该方法包括：形成结区域于半导体基板上两栅极之间；形成第一绝缘层于该结区域和该栅极上方；蚀刻该第一绝缘层的特定区域以形成第一接触孔来暴露该结区域；形成导电层于该第一绝缘层和该第一接触孔上方，该导电层接触该结区域且填充该第一接触孔；蚀刻该导电层，直到在该第一接触孔内的被蚀刻的导电层具有在该第一接触孔的上表面之下的上表面，藉以定义该接触孔的上部分；形成硅化物层和第一金属层以填充该第一接触孔的上部分，由此形成接触塞，该接触塞由在该第一接触孔中的该第一金属层、该硅化物层和该导电层组成；在所述接触孔的上部分用所述第一金属层填充之后，形成第二绝缘层于该接触塞和该第一绝缘层上方；蚀刻该第二绝缘层的特定区域以形成第二接触孔从而暴露该接触塞；以及形成阻障金属层和第二金属层于该第二接触孔和该第二绝缘层内。