用于制造负离子等离子体的处理系统

摘要

描述了一种用于制造负电荷等离子体的处理系统，其中，制造了具有负电荷离子的静止等离子体。该处理系统包括用于利用第一处理气体产生等离子体的第一室区域，以及通过分离构件与第一室区域分离的第二室区域。来自第一区域中的等离子体的电子被传输至第二区域以通过与第二处理气体碰撞而形成静止等离子体。利用耦合至第二室区域的压力控制系统来控制第二室区域中的压力，以使来自第一室区域的电子与第二处理气体发生碰撞猝灭以形成较少的高能电子，该高能电子产生具有负电荷离子的静止等离子体。

主权项

一种处理系统，用于制造包含负电荷离子的等离子体，所述处理系统包括：第一室，其构造成接收第一处理气体并在第一压力下工作；第一气体注入系统，其耦合至所述第一室，并构造成引入所述第一处理气体；第二室，其耦合至所述第一室，并构造成接收第二处理气体并在第二压力下工作，其中，所述第二室包括出口，所述出口构造成耦合至用于对衬底进行处理的衬底处理系统；第二气体注入系统，其耦合至所述第二室，并构造成引入所述第二处理气体；等离子体产生系统，其耦合至所述第一室，并构造成从所述第一处理气体形成等离子体；分离构件，其布置在所述第一室与所述第二室之间，其中，所述分离构件包括一个或更多开口，所述开口用于从所述第一室中的所述等离子体向所述第二室供应电子以在所述第二室中形成静止等离子体；以及压力控制系统，其耦合至所述第一室，或耦合至所述第二室，或耦合至所述第一室及所述第二室两者，并且所述压力控制系统构造成控制所述第二压力，以使来自所述第一室的所述电子与所述第二处理气体发生碰撞猝灭以形成较少的高能电子，所述高能电子在所述第二室中产生具有负电荷离子的所述静止等离子体，其中，所述第二处理气体包含至少一个负电性气态物质。