| 发明名称 | 用于制造发射辐射的器件的方法以及发射辐射的器件 | ||
| 摘要 | 说明了一种用于制造发射辐射的器件(1)的方法。预先规定远场中的辐射特性。在垂直于该器件(1)的主辐射方向的方向上，根据所述预先规定的辐射特性确定该发射辐射的器件(1)的折射率谱。为该器件(1)确定一种构造，使得该器件(1)具有之前确定的折射率谱。根据之前确定的构造来构造该发射辐射的器件。 | ||
| 申请公布号 | CN101809834A | 申请公布日期 | 2010.08.18 |
| 申请号 | CN200880108507.1 | 申请日期 | 2008.08.18 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | P·布里克 |
| 分类号 | H01S5/40(2006.01)I;H01S5/20(2006.01)I;H01S5/00(2006.01)I;H01S5/10(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 刘春元;李家麟 |
| 主权项 | 一种用于制造发射辐射的器件(1)的方法，具有步骤：a)预先规定远场中的辐射特性；b)在垂直于该器件(1)的主辐射方向的方向上，根据所述预先规定的辐射特性确定该发射辐射的器件(1)的折射率谱；c)为该器件(1)确定一种构造，使得该器件(1)具有之前确定的折射率谱；以及d)根据之前确定的构造来构造该发射辐射的器件(1)。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||