低损伤PECVD沉积致密SiO₂的方法

摘要

一种低损伤PECVD沉积致密的SiO 2掩膜层的方法，其特征在于，其包括如下的步骤：步骤1：清洗GaN基片：GaN基片用清洗液清洗并吹干；步骤2：沉积SiO 2掩蔽层：将经过清洗和吹干后的GaN基片，放入PECVD真空室内，进行沉积SiO 2；步骤3：沉积SiO 2完成后，持续的充入N 2，等腔室的温度降低，从真空室退出GaN基片到预腔室，取出沉积有SiO 2掩蔽层的GaN基片；步骤4：采用椭偏仪测量生长的SiO 2掩蔽层的厚度。

主权项

1.一种制备低损伤PECVD沉积致密的SiO₂掩膜层的方法，其特征在于，其包括如下的步骤：步骤1：清洗GaN基片：GaN基片用清洗液清洗并吹干；步骤2：沉积SiO₂掩膜层：将经过清洗和吹干后的GaN基片，放入PECVD真空室内，进行沉积SiO₂；所述的GaN基片放入PECVD真空室内时，开始抽真空至压力小于10^-5Pa，升温300℃并保持稳定，然后给真空室充入气体流量389-395sccm的N₂、150-155sccm的SiH₄和1415-1420sccm的N₂O至真空室的压力为690-700mtorr，加射频功率20W放电启辉2秒，然后减小射频功率至15W开始沉积SiO₂掩膜层，SiO₂沉积时间35min，得到厚度7000-7100SiO₂掩膜层；步骤3：沉积SiO₂完成后，持续的充入N₂，等腔室的温度降低，从真空室退出GaN基片到预腔室，取出沉积有SiO₂掩膜层的GaN基片；步骤4：采用椭偏仪测量生长的SiO₂掩膜层的厚度。