| 发明名称 | 直接接合电子学、光学或光电子学使用的两个基板的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种直接接合用在电子学、光学或光电子学中的两个基板(1、2)的正面(11、21)的方法，所述两个基板中的至少一个基板包括在该基板的正面(11、21)上或在该正面附近延伸的半导体材料层(1、13、2、20、23)。所述方法的特征在于其包括以下步骤：至少使所述包括半导体的基板的所述正面(11、21)、或者如果所述两个基板都包括半导体的话则使所述两个基板的所述正面(11、21)中的至少一个正面，在包含氢气和/或氩气的气体环境中在900℃至1200℃范围内的温度下进行持续时间至少为30秒的接合前预备热处理；以及将所述用于接合在一起的两个基板(1、2)的各自的正面(11、21)直接接合在一起。 | ||
| 申请公布号 | CN101106072B | 申请公布日期 | 2010.08.18 |
| 申请号 | CN200710109053.7 | 申请日期 | 2007.06.15 |
| 申请人 | 硅绝缘体技术有限公司 | 发明人 | 奥利维尔·雷萨克;康斯坦丁·布德尔;卡洛斯·马祖拉 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 李辉 |
| 主权项 | 一种对用在电子学、光学或光电子学领域的应用中的两个基板(1、2)的所谓“正”面(11、21)直接接合的方法，所述两个基板(1、2)中的至少一个被称作“包括半导体的基板”的基板包括在该基板的正面(11、21)上或在该正面附近延伸的半导体材料层(1、13、2、20、23、26)，所述方法的特征在于其包括以下步骤：至少使所述包括半导体的基板的所述正面(11、21)、或者如果所述两个基板都包括半导体的话则使所述两个基板的所述正面(11、21)中的至少一个正面，在包含氢气和/或氩气的气体环境中在900℃至1200℃范围内的温度下进行持续时间至少为30秒的被称作“接合前预备处理”的热处理，以使接合的表面疏水；以及将所述用于接合在一起的两个基板(1、2)的各自的正面(11、21)直接接合在一起，并且所述直接接合紧随所述接合前预备处理之后进行。 | ||
| 地址 | 法国伯涅尼 | ||