高掺杂点电极SOI压阻式压力传感器及制造方法

摘要

高掺杂点电极SOI压阻式压力传感器及制造方法。本发明涉及压阻式压力传感器。它解决了使金属电极的长度较长，对于高温使用使产品的可靠性降低问题。它由硅衬底、第一二氧化硅层和高掺杂层构成SOI膜片；其外部从内向外依次有薄二氧化硅层、第二二氧化硅层和氮化硅层；电极透过上部三层与高掺杂层键和，硅衬底和下部三层腐蚀形成底部凹槽。其步骤依次如下制造：首先对SOI膜片浓硼注入，并刻蚀形成高掺杂区Q和敏感电阻R，再进行二次氧化和生长氮化硅，之后制作引线和腐蚀底部凹槽，最后常规工艺达到完成。采用高掺杂工艺制作敏感电阻和引线，在电极引出处不需要单独进行高掺杂做欧姆接触，同时减少了一步退火工艺，降低了成本，提高了产品的可靠性。

主权项

高掺杂点电极SOI压阻式压力传感器，其特征在于它由硅衬底、第一二氧化硅层、薄二氧化硅层、第二二氧化硅层、氮化硅层、电极、高掺杂层、下部薄二氧化硅层、下部第二二氧化硅层和下部氮化硅层组成；所述的硅衬底、第一二氧化硅层和高掺杂层依次从下往上构成SOI膜片；所述的SOI膜片外部从内向外依次氧化和生长有薄二氧化硅层或下部薄二氧化硅层、第二二氧化硅层或下部第二二氧化硅层、氮化硅层或下部氮化硅层；所述高掺杂层和其上部的薄二氧化硅层刻蚀为高掺杂区Q和敏感电阻R的图形，电极透过第二二氧化硅层、氮化硅层和薄二氧化硅层与高掺杂层键和，硅衬底、下部薄二氧化硅层、下部第二二氧化硅层和下部氮化硅层腐蚀形成截面为杯形的底部凹槽。