CMOS图像传感器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法，其中，阻止透射过微透镜的光超出光电二极管区，以使入射光的损失最小化，并改善CMOS图像传感器的低照度特性。该CMOS图像传感器包括：半导体衬底，其包括晶体管区和光电二极管区；栅电极，形成于半导体衬底的晶体管区上；中间层介电层，形成于具有栅电极的半导体衬底的整个表面上；微透镜，其形成于中间层介电层之上，用于会聚光；以及金属阻挡物，其形成于中间层介电层中，用于围绕中间层介电层的对应于光电二极管区的部分，用于将透射过微透镜但是超出光电二极管区的光反射到光电二极管区中。

主权项

一种用于制造CMOS图像传感器的方法，包括以下步骤：在包括晶体管区和光电二极管区的半导体衬底的所述晶体管区上形成栅电极；在包括有所述栅电极的所述半导体衬底的整个表面上形成中间层介电层；在所述中间层介电层中形成金属阻挡物，以围绕所述中间层介电层的对应于所述光电二极管区的部分，从而将透射过微透镜但是超出所述光电二极管区的光反射到所述光电二极管区中；其中所述金属阻挡物和接触器通过以下步骤同时形成：在所述中间层介电层上形成光刻胶图样，利用所述光刻胶图样作为掩模选择性地蚀刻所述中间层介电层，以分别地形成金属阻挡物孔和接触器孔，以及在所述金属阻挡物孔中和在所述接触器孔中分别地形成所述金属阻挡物和所述接触器；在所述中间层介电层与所述微透镜之间形成金属线；所述栅电极与所述金属线通过在所述中间层介电层中形成的所述接触器电连接；在所述中间层介电层之上形成所述微透镜，用于会聚光；以及其中所述金属阻挡物和所述接触器用彼此相同的材料形成。