| 发明名称 | 栅氧化层失效分析方法及所用测试结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于栅氧化层失效分析的测试结构及栅氧化层失效分析方法，所述测试结构包括含有栅氧化层的待测半导体器件，以及位于所述待测半导体器件外围的在施加偏置电压后能产生光发射的至少1个半导体器件，避免了现有技术在失效定位过程中产生的叠图偏差，达到准确定位栅氧化层的失效位置的目的。 | ||
| 申请公布号 | CN101807535A | 申请公布日期 | 2010.08.18 |
| 申请号 | CN200910046145.4 | 申请日期 | 2009.02.12 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 郭强;王玉科;龚斌 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种用于栅氧化层失效分析的测试结构，其特征在于，包括含有栅氧化层的待测半导体器件，以及位于所述待测半导体器件外围的在施加偏置电压后能产生光发射的至少1个半导体器件。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||