发明名称 |
基于平面器件的功率转换器的共装步骤、结构和方法 |
摘要 |
电压转换器,包括输出电路,其中输出电路具有可以形成在单个芯片(“PowerDie”)上的高侧器件和低侧器件。该高侧器件包括横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS),低侧器件包括平面垂直扩散金属氧化物半导体(VDMOS)。该电压转换器可以进一步包括位于其他芯片上的控制电路,该控制电路可以通过功率芯片电连接至功率芯片、并可以与功率芯片共装(co-packaged)。 |
申请公布号 |
CN101807855A |
申请公布日期 |
2010.08.18 |
申请号 |
CN200911000270.8 |
申请日期 |
2009.12.23 |
申请人 |
英特赛尔美国股份有限公司 |
发明人 |
F·希伯特 |
分类号 |
H02M3/155(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I |
主分类号 |
H02M3/155(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
李玲 |
主权项 |
一种半导体器件电压转换器,包括:具有上表面的的半导体晶片部件;位于单个半导体芯片上的输出级,所述输出级包括:包括横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的高侧晶体管;以及包括垂直扩散金属氧化物半导体(VDMOS)器件的低侧晶体管;其中,在垂直于所述半导体晶片上表面的横截面上,所述LDMOS器件的栅极和所述VDMOS器件的栅极在一个与所述半导体晶片部分的所述上表面平行的平面中共面。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |