| 发明名称 |
发光二极管光源 |
| 摘要 |
一种发光二极管光源，其包括支架和多个出光单元，所述支架具有承载面，所述承载面为曲面，所述承载面开设多个安装槽，多个出光单元封装于所述多个安装槽内，每个出光单元均包括发光二极管芯片和反射式偏光层，所述发光二极管芯片具有出光面，用于出射具有第一偏振态和第二偏振态的光线，所述反射式偏光层形成于发光二极管芯片的出光面一侧，用于将第一种偏振态的光线出射，而将第二种偏振态的光线反射。 |
| 申请公布号 |
CN101806401A |
申请公布日期 |
2010.08.18 |
| 申请号 |
CN200910300441.2 |
申请日期 |
2009.02.17 |
| 申请人 |
富士迈半导体精密工业（上海）有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司 |
发明人 |
韦安琪;张乃文;赖志铭 |
| 分类号 |
F21S2/00(2006.01)I;F21V19/00(2006.01)I;F21V21/00(2006.01)I;F21V9/14(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;F21Y101/02(2006.01)N |
主分类号 |
F21S2/00(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种发光二极管光源，其包括支架和多个出光单元，所述支架具有承载面，所述承载面为曲面，所述承载面开设多个安装槽，多个出光单元封装于所述多个安装槽内，每个出光单元均包括发光二极管芯片和反射式偏光层，所述发光二极管芯片具有出光面，用于出射具有第一偏振态和第二偏振态的光线，所述反射式偏光层形成于发光二极管芯片的出光面一侧，用于将第一种偏振态的光线出射，而将第二种偏振态的光线反射。 |
| 地址 |
201600 上海市松江区松江工业区西部科技工业园区文吉路500号 |
