| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种半导体装置及其制造方法。在现有的半导体装置中，因寄生Tr的导通电流在半导体层表面流动而存在元件受到热破坏的问题。在本发明的半导体装置中，在作为漏极区域的N型扩散层(9)，形成P型扩散层(14)及作为漏极导出区域的N型扩散层(10)。而且，P型扩散层(14)配置于MOS晶体管(1)的源极-漏极区域之间。根据该结构，对漏极电极(28)施加正的ESD浪涌，即便在寄生Tr1的导通电流(I1)流动的情况下，因寄生Tr1的导通电流(I1)的电流路径处于外延层深部侧，故也可防止MOS晶体管(1)受到热破坏。 | ||
| 申请公布号 | CN101807599A | 申请公布日期 | 2010.08.18 |
| 申请号 | CN201010121457.X | 申请日期 | 2010.02.11 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 | 发明人 | 大竹诚治 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 岳雪兰 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具有：一导电型半导体层、形成于所述半导体层的一导电型漏极扩散层、形成于所述半导体层的逆导电型背栅扩散层、以及与所述背栅扩散层重叠地形成的一导电型源极扩散层，在所述漏极扩散层重叠地形成有逆导电型扩散层，所述逆导电型扩散层至少相比向所述漏极扩散层接触的接触区域，更向所述背栅扩散层侧配置。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||