| 发明名称 | 制造半导体发光器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及制造半导体发光器件的方法。所述方法包括：在衬底上形成包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的发光结构，在所述发光结构上形成电极层，在所述电极层上形成导电支撑构件，以及使所述导电支撑构件的顶表面平坦化。 | ||
| 申请公布号 | CN101807655A | 申请公布日期 | 2010.08.18 |
| 申请号 | CN201010121518.2 | 申请日期 | 2010.02.20 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 郑畴溶 |
| 分类号 | H01L33/48(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/48(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;王春伟 |
| 主权项 | 一种制造半导体发光器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的发光结构；在所述发光结构上形成电极层；在所述电极层上形成导电支撑构件；以及使所述导电支撑构件的顶表面平坦化。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||