由原子层沉积制造薄膜晶体管的方法

摘要

本发明涉及一种制造例如薄膜晶体管、环境阻隔层、电容、绝缘器和总线的薄膜电子器件和设备的方法，其中大部分或所有层由大气压原子层沉积方法制造。

主权项

一种制造薄膜晶体管的方法，该薄膜晶体管包括至少五个层，包括栅极层、电介质层、通道层、源极-漏极层和保护层，其中五个层的至少三个由基本在大气压下或高于大气压下进行的原子层沉积方法在基材上形成，其中沉积期间基材的温度低于300℃，并且其中原子层沉积方法包括同时引导一系列气流通过与基材间隔开的多个输出口，该一系列气流依次包括至少第一反应性气态材料、惰性吹扫气体和第二反应性气态材料，并且相对于多个输出口，在一个方向中移动基材，使得基材上的任一点经历第一、第二和第三气态材料的顺序，由此该顺序通过原子层沉积形成层。