非易失性半导体存储器及其驱动方法

摘要

提供不损坏存储单元的高集成化而能够利用FN隧道电流对电荷存储层进行电荷的注入的NOR型非易失性半导体存储器。通过具有以下特征的非易失性半导体存储器来解决上述问题，该非易失性半导体存储器的特征在于，在半导体衬底上形成岛状半导体层、具有形成在岛状半导体层的上部的漏极扩散层、形成在岛状半导体层的下部的源极扩散层、通过栅极绝缘膜在被漏极扩散层和源极扩散层夹着的侧壁的沟道区域上形成的电荷存储层以及形成在电荷存储层上的控制栅极的非易失性半导体存储单元排列为阵列状，将连接到漏极扩散层的比特线在列方向上进行布线，将控制栅极线在行方向上进行布线，将连接到源极控制层的源极线在列方向上进行布线。

主权项

一种非易失性半导体存储器，从衬底侧依次形成源极区域、沟道区域以及漏极区域，并且存储单元在上述衬底上被配置成n行m列的阵列状，其中，上述存储单元具有通过栅极绝缘膜在上述沟道区域的外侧形成的电荷存储层以及通过绝缘层在该电荷存储层的外侧形成为覆盖该电荷存储层的控制栅极，上述非易失性半导体存储器构成为包括：多个源极线，其布线在列方向上使得排列在上述阵列的列方向上的存储单元的源极区域相互连接；多个平行的比特线，其在与上述源极线不同的层中布线在列方向上使得排列在上述列方向上的存储单元的漏极区域相互连接；将布线在行方向上使得排列在与上述列方向实质上正交的行方向上的存储单元的控制栅极相互连接的线设为栅极线；多个晶体管，其每隔上述阵列的p行形成一行，从衬底侧依次形成源极区域、沟道区域以及漏极区域，各自的源极区域与自己所属的列的上述源极线连接，其中，p＜n；导线，其布线在行方向上使得排列在相同行上的上述晶体管的栅极相互连接；以及共用源极线，其使排列在相同行上的上述晶体管的漏极区域相互连接。