| 摘要 |
<p>Ein Handling-Wafer wird mit einer Metallschicht (2) versehen und über eine Verbindungsschicht (12) mit der Rückseite eines IC-Wafers (3) verbunden. Nach dem Ätzen eines Kontaktloches (7) in den IC-Wafer und dem Aufbringen einer Metallisierung (13), die die Metallschicht (2) mit einer oberseitigen Anschlussmetallschicht (14) verbindet, wird der Handling-Wafer entfernt, so dass eine rückseitige Kontaktfläche (17) der Metallschicht freigelegt ist. Die so gebildete Durchkontaktierung ermöglicht eine beliebige Positionierung des Rückseitenkontaktes ohne aufwendigen Rückseitenprozess.</p> |
