Vergrößerte Tiefe von Drain- und Sourcegebieten in komplementären Transistoren durch Herstellen eines tiefen Drain- und Sourcegebiets vor der Ätzung einer Aussparung

摘要

Tiefe Drain- und Sourcegebiete eines n-Kanaltransistors werden durch entsprechende Aussparungen hindurch gebildet, welche zusammen mit Aussparungen eines p-Kanaltransistors hergestellt werden, wobei die lateralen Abstände der Aussparungen auf der Grundlage eines geeigneten Umkehrabstandshalterschemas eingestellt werden. folglich erstrecken sich die Dotierstoffsorten in n-Kanaltransistoren bis hinab zu einer spezifizierten Tiefe, beispielsweise bis zu der vergrabenen isolierenden Schicht eines SOI-Bauelements, wobei gleichzeitig ein effizienter verformungsinduzierender Mechanismus für den p-Kanaltransistor mit einem sehr effizienten Gesamtfertigungsablaufs bereitgestellt wird.