Kurzkanaltransistor mit geringerer Längenfluktuation durch Verwenden eines amorphen Elektrodenmaterials während der Implantation

摘要

In komplexen Transistorelementen wird eine verbesserte Profilgleichmäßigkeit entlang der Transistorbreitenrichtung erreicht, indem ein Gatematerial in einem amorphen Zustand verwendet wird, wodurch Kanaleffekte und die Linienrandrauhigkeit verringert werden. In komplexen Lösungen mit einem Metallgate mit großem ε wird eine geeignete Sequenz verwendet, um eine Änderung des amorphen Zustands zum Ausführen der kritischen Implantationsprozesse zur Herstellung der Drain- und Sourceerweiterungsgebiete und der Halo-Gebiete zu vermeiden.