发明名称 |
In-situ erzeugte Drain- und Source-Gebiete mit einer verformungsinduzierenden Legierung und einem graduell variierenden Dotierstoffprofil |
摘要 |
Das Dotierstoffprofil eines Transistors wird auf der Grundlage einer in-situ-dotierten verformungsinduzierenden Halbleiterlegierung erzeugt, wobei eine abgestufte Dotierstoffkonzentration entlang der Höhenrichtung eingestellt wird. Folglich kann die Halbleiterlegierung in unmittelbarer Nähe zu dem Kanalgebiet angeordnet werden, wodurch die gesamte verformungsinduzierende Wirkung erhöht wird, ohne dass das schließlich erreichte Dotierstoffprofil in unerwünschter Weise beeinträchtigt wird. Des weiteren können zusätzliche Implantationssorten vor dem selektiven Aufwachsen der Halbleiterlegierung eingebaut werden, wodurch durch die Implantation hervorgerufene Relaxationswirkungen für die interne Verformung vermieden werden.
|
申请公布号 |
DE102009006884(A1) |
申请公布日期 |
2010.08.12 |
申请号 |
DE200910006884 |
申请日期 |
2009.01.30 |
申请人 |
ADVANCED MICRO DEVICES INC.;AMD FAB 36 LIMITED LIABILITY COMPANY & CO. KG |
发明人 |
HOENTSCHEL, JAN;PAPAGEORGIOU, VASSILIOS;GRIEBENOW, UWE |
分类号 |
H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/336 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|