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Ein Speichermodul einer Datenverarbeitungsvorrichtung enthält: eine On-Die-Termination-Schaltung, die in einer Halbleiterspeichervorrichtung vorgesehen ist und die Pullup- und Pulldown-Widerstände (RU1, RU2, RU3, RD1, RD2, RD3) enthält, die zwischen Pullup- und Polldown-Transistoren (TU1, TU2, TU3, TD1, TD2, TD3) geschaltet sind; eine Datenmaskierungs-Anschlussfläche (10), die in einem Abgriffsbereich einer Modul-Leiterplatte vorgesehen ist; und eine Stromleckmonitoreinheit (30), die ein Massezustandssignal (VSS) von der Datenmaskierungs-Anschlussfläche (10) sowie ein Bit-Konfigurations-Signal (ORGx4) von der Halbleiterspeichervorrichtung empfängt und die die Pullup-Transistoren (TU1, TU2, TU3) deaktiviert, um einen Strompfad zwischen den Pullup-Widerständen (RU1, RU2, RU3) der On-Die-Termination-Schaltung und der Datenmaskierungs-Anschlussfläche (10) zu unterbrechen, in einem On-Die-Termination-Aktivierungsmodus.
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