发光二极体结构

摘要

本发明为一种发光二极体结构，其包括：第一基材；黏着层，形成于第一基材上；第一欧姆连接层，形成于黏着层上；磊晶层，形成于第一欧姆连接层上；第一绝缘层，覆盖于第一欧姆连接层及磊晶层其裸露之表面；第一导电板及第二导电板，形成第一绝缘层内且电性连接于第一欧姆连接层及磊晶层之一端。藉由第一沟槽、第二沟槽的设置，使发光二极体结构，可方便发光二极体进行复杂的串/并联电路连结，进而能使发光二极体结构能以单体的型态，在高压环境下更容易及多样化的操作。

主权项

1.一种发光二极体结构，其包括：一第一基材，具有一第一表面及一第二表面；一黏着层，形成于该第一表面上；至少二第一欧姆连接层，形成于该黏着层上；至少二磊晶层，任二该磊晶层间形成有一第一沟槽，每一该磊晶层，其具有：一下披覆层，形成于一该第一欧姆连接层上；一作用层，形成于该下披覆层上；以及一上披覆层，形成于该作用层上；一第一绝缘层，覆盖于每一该第一欧姆连接层及每一该上披覆层其裸露之表面，且形成于任二该第一欧姆连接层间，该第一绝缘层于每一该上披覆层及每一该第一欧姆连接层其裸露部处，分别形成有一第一开孔及一第二开孔；至少二第一导电板，分别形成于每一该第一开孔内，且电性连接于一该上披覆层；至少二第二导电板，分别形成于每一该第二开孔内，且电性连接于一该第一欧姆连接层；以及一第二基材，其具有一第三表面，该第三表面形成有至少二第三导电板及至少二第四导电板，又该第二基材形成有复数条电路结构，用以电性连接该些第三导电板及该些第四导电板，且每一该第三导电板及该第四导电板，分别藉由焊点电性连接于相对应之该第一导电板及该第二导电板，又该第一基材为一透明基材且该黏着层为一透明黏着层，且该第三表面上于该第三导电板及该第四导电板以外之部位形成有一反射层。 ;2.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构，其中该第一基材系为一单晶体、一多晶体或一非晶体结构之基材。 ;3.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构，其中该黏着层系选自一苯环丁烯、一环氧树脂一矽胶、一聚甲基丙烯酸甲酯、一聚合物及一旋转涂布玻璃等其中之一材质。 ;4.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构，其中该第一欧姆连接层系为一P型欧姆连接层。 ;5.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构，其中该下披覆层系为一P型磷化铝铟镓披覆层且该上披覆层系为一N型磷化铝铟镓披覆层。 ;6.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构，其中该作用层系为一单异质结构、一双异质结构或一多量子阱结构。 ;7.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构，其中该上披覆层与该第一导电板间形成有一第二欧姆连接层。 ;8.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构，其中该第二基材系为一矽基材、一印刷电路板或一陶瓷基材。 ;9.如申请专利范围第1项所述之发光二极体结构，其进一包括一第一导体层，其形成有至少一导体并覆盖于该第一绝缘层上，且每一该导体之两端分别电性连接于不同单元之该第二导电板或第一导电板。 ;10.一种发光二极体结构，其包括：一第一基材，具有一第一表面及一第二表面；一黏着层，形成于该第一表面上；至少二第一欧姆连接层，形成于该黏着层上；至少二磊晶层，每一该磊晶层，其具有：一下披覆层，形成于一该第一欧姆连接层上；一作用层，形成于该下披覆层上；一上披覆层，形成于该作用层上；以及一第二沟槽，垂直贯穿该上披覆层及该作用层，又局部贯穿该下披覆层；一第二绝缘层，覆盖于每一该上披覆层上，并形成于任二该磊晶层及任二该第一欧姆连接层间，该第二绝缘层于该上披覆层上及第二沟槽内侧，分别形成有一第三开孔及一第四开孔；至少二第五导电板，分别形成于每一该第三开孔内，且电性连接于一该上披覆层；以及至少二第六导电板，分别形成于每一该第四开孔内，其具有向下延伸之一延伸部，该延伸部垂直贯穿该磊晶层，且电性连接于该第一欧姆连接层。 ;11.如申请专利范围第10项所述之发光二极体结构，其中该第一基材系为一单晶体、一多晶体或一非晶体结构之基材。 ;12.如申请专利范围第10项所述之发光二极体结构，其中该第一基材系为一透明基材。 ;13.如申请专利范围第10项所述之发光二极体结构，其中该黏着层系选自一苯环丁烯、一环氧树脂、一矽胶、一聚甲基丙烯酸甲酯、一聚合物及一旋转涂布玻璃等其中之一材质。 ;14.如申请专利范围第10项所述之发光二极体结构，其中该黏着层系为一透明黏着层。 ;15.如申请专利范围第10项所述之发光二极体结构，其中该第一欧姆连接层系为一P型欧姆连接层。 ;16.如申请专利范围第10项所述之发光二极体结构，其中该下披覆层系为一P型磷化铝铟镓披覆层且该上披覆层系为一N型磷化铝铟镓披覆层。 ;17.如申请专利范围第10项所述之发光二极体结构，其中该作用层系为一单异质结构、一双异质结构或一多量子阱结构。 ;18.如申请专利范围第10项所述之发光二极体结构，其中该第二沟槽内形成有该第二绝缘层。 ;19.如申请专利范围第10项所述之发光二极体结构，其中该上披覆层与该第五导电板间形成有一第二欧姆连接层。 ;20.如申请专利范围第10项所述之发光二极体结构，其中该第一基材为一透明基材及该黏着层为一透明黏着层，且该第二表面上形成有一反射层。 ;21.如申请专利范围第10项所述之发光二极体结构，其中该黏着层为一透明黏着层，且该第一基材与该黏着层间，形成有一反射层。 ;22.如申请专利范围第10项所述之发光二极体结构，进一步包括一第二基材，其具有一第三表面，该第三表面形成有至少二第三导电板及至少二第四导电板，又该第二基材形成有复数条电路结构，用以电性连接该些第三导电板及该些第四导电板，且每一该第三导电板及该第四导电板，分别藉由焊点电性连接于相对应之该第五导电板及该第六导电板，又该第一基材为一透明基材且该黏着层为一透明黏着层。 ;23.如申请专利范围第22项所述之发光二极体结构，其中该第二基材系为一矽基材、一印刷电路板或一陶瓷基材。 ;24.如申请专利范围第22项所述之发光二极体结构，其中该第二基材上，于该第三导电板及该第四导电板以外之部位，形成有一反射层。 ;25.如申请专利范围第22项所述之发光二极体结构，其中该第二绝缘层上，形成有一反射层。 ;26.如申请专利范围第10项所述之发光二极体结构，其中该些第五导电板及该些第六导电板之表面高度，系为相同水平之高度。 ;27.如申请专利范围第10项所述之发光二极体结构，进一歩包括一第二导体层，其形成有至少一导体并覆盖于该第二绝缘层上，且每一该导体之两端分别电性连接于不同单元之该第五导电板或该第六导电板。;第1A图系为一第一基材与前制程发光二极体结构尚未结合之实施例图。;第1B图系为一第一基材与前制程发光二极体结构结合后之实施例图。;第1C图系将第1B图之临时基材及蚀刻终止层去除后之立体实施例图。;第2图系为本发明之发光二极体结构，其完成单元分割后之剖视实施例图。;第3A图系为第2图进行第一次蚀刻之制作方法实施例图。;第3B图系为第3A图完成后再次进行第二次蚀刻之制作方法实施例图。;第4图为第2图进一歩完成第一绝缘层及导电板后之剖视实施例图。;第5A图系为本发明之发光二极体结构进一歩结合一第二基材之剖视实施例图。;第5B图系为第5A图之俯视实施例图。;第5C图系为第5A图之等效电路图。;第6A图系为本发明之发光二极体结构，其进一歩形成一第一导体层之剖视实施例图。;第6B图系为第6A图之俯视实施例图。;第7图系为本实施例之发光二极体结构，已完成单元分割、磊晶层分割及第二沟槽制作后之剖视实施例图。;第8图系为本发明之发光二极体结构进一歩结合一第二基材之剖视实施例图。;第9图系为本发明之发光二极体结构进一歩形成一第二导体层之剖视实施例图。;第10A图至第10G图分别为各种高压发光二极体之电路实施例图。