半导体密封用环氧树脂组成物及半导体装置;EPOXY RESIN COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR SEALING AND SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

若使用环氧树脂、酚树脂、无机填充材料、硬化促进剂及于1×102Ω．cm以上，未满1×107Ω．cm之半导体区域中具有电性比电阻值的碳前体做为必须成分，且于全环氧树脂组成物中含有该无机填充材料65~92重量%、该碳前体0.1~5.0重量%之半导体密封用环氧树脂组成物，则可取得优良的YAG雷射标记性，并且不会发生配线短路和漏电电流等之电性不良和金属线变形。

主权项

1.一种半导体密封用环氧树脂组成物，其特征为，以环氧树脂、分子中具有酚性羟基之酚树脂、无机填充材料、促进环氧基与酚性羟基之反应的硬化促进剂、及于1×10 2 Ω．cm以上、未满1×10 7 Ω．cm之半导体区域中具有电性比电阻值且根据元素分析之H/C重量%比为2/97~4/93之碳前体做为必须成分的环氧树脂组成物，且于全环氧树脂组成物中含有该无机填充材料65~92重量%、该碳前体0.1~5.0重量%。 ;2.如申请专利范围第1项之半导体密封用环氧树脂组成物，其中，该碳前体为平均粒径为0.5~50μm的微粒子。 ;3.如申请专利范围第1项之半导体密封用环氧树脂组成物，其中，该碳前体为平均粒径为0.5~20μm的微粒子。 ;4.如申请专利范围第1项之半导体密封用环氧树脂组成物，其中，该碳前体之电性比电阻值为1×10 4 Ω．cm以上、未满1×10 7 Ω．cm。 ;5.如申请专利范围第1项之半导体密封用环氧树脂组成物，其中，于全环氧树脂组成物中含有该无机填充材料70~91重量%。 ;6.如申请专利范围第1项之半导体密封用环氧树脂组成物，其中，该碳前体为将酚树脂以600℃以上、650℃以下之煅烧温度予以煅烧碳化者。 ;7.一种半导体装置，其特征为，使用如申请专利范围第1至6项中任一项之半导体密封用环氧树脂组成物将半导体元件予以密封而成。