发明名称 薄膜二极体、双重扫描二极体阵列基板以及液晶显示面板;THIN FILM DIODE, DUAL SELECT DIODE ARRAY SUBSTRATE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL
摘要 一种薄膜二极体,适于配置于一基板上。前述之薄膜二极体包括一第一电极、一绝缘层、一主动层以及一第二电极。第一电极配置于基板上,绝缘层配置于基板上以覆盖第一电极,且绝缘层具有一开口以暴露出第一电极的部分区域。主动层配置于第一电极上,并从开口所暴露出之第一电极延伸至绝缘层上。第二电极配置于绝缘层以及主动层上。主动层至少位于第二电极的覆盖范围内。本发明另提供一种具有上述薄膜二极体之双重扫描二极体阵列基板以及一种液晶显示面板。
申请公布号 TWI328710 申请公布日期 2010.08.11
申请号 TW097138951 申请日期 2008.10.09
申请人 友达光电股份有限公司 AU OPTRONICS CORPORATION 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号 发明人 吴岳鸿;郭威宏;陈政德;周文彬;李锡烈
分类号 主分类号
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 1.一种薄膜二极体,适于配置于一基板上,该薄膜二极体包括:一第一电极,配置于该基板上;一绝缘层,配置于该基板上以覆盖该第一电极,其中该绝缘层具有一开口以暴露出该第一电极的部分区域;一主动层,配置于被该开口所暴露出之该第一电极上;以及一第二电极,配置于该绝缘层以及该主动层上,其中该主动层至少位于该第二电极的覆盖范围内。 ;2.如申请专利范围第1项所述之薄膜二极体,其中该第一电极的边缘未被该开口所暴露。 ;3.如申请专利范围第1项所述之薄膜二极体,其中该开口至少位于该主动层的覆盖范围内。 ;4.如申请专利范围第1项所述之薄膜二极体,其中该主动层的边缘未超出该第一电极的边缘。 ;5.如申请专利范围第1项所述之薄膜二极体,其中该绝缘层的材质包括氮化矽、氧化矽或氮氧化矽。 ;6.如申请专利范围第1项所述之薄膜二极体,其中该绝缘层的厚度约为1200至4000。 ;7.如申请专厉范围第1项所述之薄膜二极体,其中该主动层的材料包括富含矽之氮化矽、富含矽之氧化矽、五氧化二钽或类钻石之石墨(Diamond-Like Carbon,DLC)。 ;8.如申请专利范围第1项所述之薄膜二极体,其中该第一电极的材料包括Al、Mo、Ti、Cu、Wo或Ti/Al/Ti。 ;9.如申请专利范围第1项所述之薄膜二极体,其中该第二电极的材料包括Al、Mo、Ti、Cu、Wo或Ti/Al/Ti。 ;10.一种双重扫描二极体阵列基板,包括:一基板;多条扫描线,配置于该基板上;以及多个画素单元,配置于该基板上,其中各该画素单元包括二薄膜二极体以及一画素电极,且该画素电极分别透过前述之二薄膜二极体与不同之扫描线电性连接,而各该薄膜二极体包括:一第一电极,配置于该基板上;一绝缘层,配置于该基板上以覆盖该第一电极,其中该绝缘层具有一开口以暴露出该第一电极的部分区域;一主动层,配置于被该开口所暴露出之该第一电极上;以及一第二电极,配置于该绝缘层以及该主动层上,其中该主动层至少位于该第二电极的覆盖范围内,且该第二电极与该画素电极电性连接。 ;11.如申请专利范围第10项所述之双重扫描二极体阵列基板,其中该第一电极的边缘未被该开口所暴露。 ;12.如申请专利范围第10项所述之双重扫描二极体阵列基板,其中该开口至少位于该主动层的覆盖范围内。 ;13.如申请专利范围第10项所述之双重扫描二极体阵列基板,其中该主动层的边缘未超出该第一电极的边缘。 ;14.如申请专利范围第10项所述之双重扫描二极体阵列基板,其中该绝缘层的材质包括氮化矽、氧化矽或氮氧化矽。 ;15.如申请专利范围第10项所述之双重扫描二极体阵列基板,其中该绝缘层的厚度约为1200至4000。 ;16.如申请专利范围第10项所述之双重扫描二极体阵列基板,其中该主动层的材料包括富含矽之氮化矽、富含矽之氧化矽、五氧化二钽或类钻石之石墨(Diamond-Like Carbon,DLC)。 ;17.如申请专利范围第10项所述之双重扫描二极体阵列基板,其中该画素电极的材料包括铟锡氧化物或铟锌氧化物。 ;18.如申请专利范围第10项所述之双重扫描二极体阵列基板,其中该第一电极的材料包括Al、Mo、Ti、Cu、Wo或Ti/Al/Ti。 ;19.如申请专利范围第10项所述之双重扫描二极体阵列基板,其中该第二电极的材料包括Al、Mo、Ti、Cu、Wo或Ti/Al/Ti。 ;20.一种液晶显示面板,包括:一双重扫描二极体阵列基板,包括:一基板;多条扫描线,配置于该基板上;以及多个画素单元,配置于该基板上,其中各该画素单元包括二薄膜二极体以及一画素电极,且该画素电极分别透过前述之二薄膜二极体与不同之扫描线电性连接,而各该薄膜二极体包括:一第一电极,配置于该基板上;一绝缘层,配置于该基板上以覆盖该第一电极,其中该绝缘层具有一开口以暴露出该第一电极的部分区域;一主动层,配置于被该开口所暴露出之该第一电极上;以及一第二电极,配置于该绝缘层以及该主动层上,其中该主动层至少位于该第二电极的覆盖范围内,且该第二电极与该画素电极电性连接;一对向基板;以及一液晶层,位于该双重扫描二极体阵列基板以及该对向基板之间。 ;21.如申请专利范围第20项所述之液晶显示面板,其中该对向基板包括多条对向电极与该些扫描线垂直。;图3A为本发明一实施例之双重扫描二极体阵列基板的电路示意图。;图3B绘示为图3A之区域P1的膜层上视图。;图3C则为沿图3B之剖线CC’所绘示的剖面示意图。;图3D为另一种实施形态之双重扫描二极体阵列基板的电路示意图。;图4为本发明一实施例之液晶显示面板的示意图。
地址 AU OPTRONICS CORPORATION 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号
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