在半导体基底制程室中控制制程区域和排气口之间气流的装置及其系统;APPARATUS AND SYSTEM FOR CONTROLLING GAS FLOW BETWEEN PROCESS REGION AND EXHAUST PORT IN SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PROCESSING CHAMBER

摘要

本发明提供控制半导体基底制程室中制程区域和排气口之间的气流的装置。该装置包括至少一个支撑在制程室中、并至少部分地环绕一基底支撑底座的限流板。该限流板用于控制制程区域和排气口之间的至少一股气流的流动状态。

主权项

1.一种在半导体基底制程室中控制制程区域和排气口之间气流的装置，包括：至少一个被支撑在制程室中的限流板，且至少部分的限流板环绕基底支撑底座，该限流板用于控制在制程区域和排气口之间至少一种气体的流动，其中至少一个限流板横向间隔在基底支撑底座和制程室内壁之间；一适合与该制程室的底部连接的底盘；以及一与该底盘在垂直隔开的位置相连接的支撑环，其中该至少一个限流板与该支撑环相连。 ;2.如申请专利范围第1项所述之在半导体基底制程室中控制制程区域和排气口之间气流的装置，更包括：多个连接于该底盘和该支撑环之间的支撑柱脚。 ;3.如申请专利范围第1项所述之在半导体基底制程室中控制制程区域和排气口之间气流的装置，其中该些支撑柱脚使该支撑环不与该基底支撑底座的基底支撑表面所定义的平面平行。 ;4.如申请专利范围第1项所述之在半导体基底制程室中控制制程区域和排气口之间气流的装置，其中该至少一个限流板为一环形限流板，且该环形限流板至少部分地环绕该基底支撑底座。 ;5.如申请专利范围第4项所述之在半导体基底制程室中控制制程区域和排气口之间气流的装置，其中该限流板一部分的宽度比其另一部分的宽度宽。 ;6.如申请专利范围第5项所述之在半导体基底制程室中控制制程区域和排气口之间气流的装置，其中具有较宽宽度的该部分适合于放置在离该排气口最近的位置。 ;7.如申请专利范围第1项所述之在半导体基底制程室中控制制程区域和排气口之间气流的装置，其中该至少一个限流板更包括多个限流板，且每一个限流板至少与一个其他的限流板相比邻。 ;8.一种半导体基底处理系统，包括：一制程室；一放置在该制程室中的基底支撑底座；一位于制程室中底座上方的气体进口，向支撑底座上方的制程区域提供处理用气体；一位于制程室壁上的排气口；以及至少一个被支撑在半导体制程室中的限流板，且至少部分环绕基底支撑底座，该限流板用来控制在制程区域和排气口之间的至少一股气流的流动状态；一用来与该制程室的底部相连接的底盘；以及一与该底盘在垂直隔开的位置相连接的支撑环，其中该至少一个限流板与该支撑环相连。 ;9.如申请专利范围第8项所述之半导体基底处理系统，更包括多个连接于该底盘和该支撑环之间的支撑柱脚。 ;10.如申请专利范围第9项所述之半导体基底处理系统，其中该些支撑柱脚使该支撑环不与该基底支撑底座的基底支撑面所定义的平面平行。 ;11.如申请专利范围第8项所述之半导体基底处理系统，其中该至少一个限流板是由多个拱形的限流板构成。 ;12.如申请专利范围第11项所述之半导体基底处理系统，其中该些限流板环绕至少一半该基底支撑底座。 ;13.如申请专利范围第12项所述之半导体基底处理系统，其中该些限流板的至少一部分外边缘缩小了其外边缘和该制程室内壁之间、离该排气口最近的地方的空隙。 ;14.如申请专利范围第8项所述之半导体基底处理系统，其中该至少一个限流板为单一限流板。 ;15.如申请专利范围第14项所述之半导体基底处理系统，其中该单一限流板的形状至少有一部分为环形，且该环形部分围绕着至少一半该基底支撑底座。 ;16.如申请专利范围第15项所述之半导体基底处理系统，其中该单一限流板之一部分的宽度大于另一部分的宽度。 ;17.如申请专利范围第16项所述之半导体基底处理系统，其中该单一限流板具有较宽宽度的该部分离该排气口最近。 ;18.如申请专利范围第17项所述之半导体基底处理系统，其中该单一限流板的至少一部分外边缘缩小了其外边缘和该制程室内壁之间离该排气口最近的那部分空隙。 ;19.如申请专利范围第8项所述之半导体基底处理系统，其中该至少一个限流板是形状为环形的单一限流板，该单一限流板完全包围该基底支撑底座，且该单一限流板的某一部分的宽度大于另一部分的宽度，其外边缘的某一部分至少与离该排气口最近的该制程室内壁的地方相接触。 ;20.如申请专利范围第8项所述之半导体基底处理系统，其中该至少一个限流板的外边缘的某一部分在离该排气口最近的第一位置与该制程室内壁的距离小于在比该第一位置离该排气口较远的第二位置与该制程室内壁的距离。;图1为双频电容性电浆源反应器的侧面示意图。;图2A为一实施例之流体控制器非等轴局部分解图。;图2B为图2A中流体控制器之限流板的俯视图。;图3为使用一实施例之流体控制器的制程室剖面图。;图4A为使用另一实施例之流体控制器的制程室剖面图。;图4B为图4A之流体控制器之限流板俯视图。;图5A为描述在没有使用流体控制器的半导体基底制程室中基底加工过程中蚀刻速率一致性之示意图。;图5B为描述在使用流体控制器的半导体基底制程室中基底加工过程中蚀刻速率一致性之示意图。