图案转印设备以及图案印刷铅版制造方法;PATTERN TRANSCRIPTION DEVICE AND METHOD OF FABRICATING CLICHE FOR THE SAME

摘要

一图案转印设备，系包含一铅版以及一覆层，铅版包含一凹陷部、一凸起部以及一印刷阻挡部，其中印刷阻挡部形成于凹陷部之底表面。覆层上系涂覆有一抗蚀材料层，并可关于铅版旋转。其中覆层之表面能量密度系大于印刷阻挡部之表面能量密度，并且小于铅版之表面能量密度。

主权项

1.一种图案转印设备，包含有：一铅版，系包含一凹陷部、一凸起部以及一印刷阻挡部，其中该印刷阻挡部形成于该凹陷部之底表面；以及一覆层，该覆层上系涂覆有一抗蚀材料层，并可关于该铅版旋转，其中，该覆层之表面能量密度系大于该印刷阻挡部之表面能量密度，并且小于该铅版之表面能量密度。 ;2.如申请专利范围第1项所述之图案转印设备，其中该覆层之表面能量密度系位元于20 mJ/cm 2 至23 mJ/cm 2 之间。 ;3.如申请专利范围第1项所述之图案转印设备，其中该印刷阻挡部之表面能量密度系位元于13 mJ/cm 2 至18 mJ/cm 2 之间。 ;4.如申请专利范围第3项所述之设备，其中该印刷阻挡部包含特氟纶(teflon)。 ;5.如申请专利范围第1项所述之图案转印设备，其中该覆层包含一第一层、一第二层以及一第三层，该第一层接触该抗蚀材料层，该第二层系设置于该第一层与该第三层之间。 ;6.如申请专利范围第5项所述之图案转印设备，其中该第一层之硬度系小于该第二层之硬度，并大于该第三层之硬度。 ;7.如申请专利范围第5项所述之图案转印设备，其中该第三层之厚度系大于该第一层与该第二层。 ;8.如申请专利范围第5项所述之图案转印设备，其中该第一层包含聚乙烯及聚对苯二甲酸乙二醇酯其中一种。 ;9.如申请专利范围第5项所述之图案转印设备，其中该第三层由包含矽及橡胶之弹性材料形成。 ;10.如申请专利范围第9项所述之图案转印设备，其中该第三层包含复数个泡沫材料颗粒。 ;11.如申请专利范围第1项所述之图案转印设备，其中对应该凸起部之该抗蚀材料层自该覆层上分离，并被转移至该凸起部，并且对应该凹陷部之该抗蚀材料层仍保留以形成一抗蚀图案。 ;12.一种图案转印设备之铅版制造方法，系包含以下步骤：形成一金属图案于一基板上；利用该金属图案作为蚀刻光罩蚀刻该基板，以形成一凹陷部以及一凸起部；以及形成一印刷阻挡部于该凹陷部之底表面，其中该印刷阻挡部之表面能量密度系小于该基板。 ;13.如申请专利范围第12项所述之铅版制造方法，其中该形成该印刷阻挡部之步骤包含：形成一低表面能量密度材料层于包含有该凹陷部及该凸起部之该基板上；以及于该金属图案上除去该低表面能量密度材料，以形成该印刷阻挡部。 ;14.如申请专利范围第12项所述之铅版制造方法，其中该形成该印刷阻挡部之步骤包含：自包含该凹陷部及该凸起部之该基板上除去该金属图案；形成一低表面能量材料层于包含该凹陷部及该凸起部之该基板上；以及除去该凸起部上的该低表面能量密度材料层，以形成该印刷阻挡部。 ;15.如申请专利范围第12项所述之铅版制造方法，其中该印刷阻挡部自该基板之底表面具有一高度。 ;16.如申请专利范围第12项所述之铅版制造方法，其中该形成该金属图案之步骤包含：形成一金属层于该基板上，以及形成一光敏材料层于该金属图案上；利用一光罩曝光该光敏材料层；显影该光敏材料层，以形成一光敏材料图案；以及利用该光敏材料图案作为蚀刻光罩蚀刻该金属层，以形成该金属图案于该基板上。;第1A图、第1B图、第1C图以及第1D图系显示利用习知色彩逆转平板印刷(reverse offset)方法制造抗蚀图案之步骤；第2A图为显示凹陷部接触一抗蚀材料之放大示意图；第2B图为显示具有不理想抗蚀图案之处理目标层之平面示意图；第3A图、第3B图、第3C图以及第3D图系显示依照本发明一实施例之反向补充方法制造抗蚀图案之步骤；第4A图、第4B图、第4C图、第4D图、第4E图以及第4F图为显示本发明一实施例之制造铅版之步骤横剖视图；第5A图、第5B图、第5C图、第5D图以及第5E图为显示本发明另一实施例之制造铅版之步骤横剖视图；第6图为本发明一实施例之具有滚轴之覆层之横剖视图；以及第7图为沿着第6图VII-VII线之横剖视图。