电阻式记忆体元件;RESISTANCE TYPE MEMORY DEVICE

摘要

一种电阻式记忆体元件，配置于一基底上，包括第一导电层、第二导电层及可变电阻材料层。第二导电层配置于第一导电层上，且第二导电层由分离的多个电极所组成。可变电阻材料层配置于第一导电层与第二导电层之间。

主权项

1.一种电阻式记忆体元件，配置于一基底上，包括：一第一导电层，且该第一导电层由分离的多个第一电极所组成；一第二导电层，配置于该第一导电层上，且该第二导电层由分离的多个第二电极所组成，其中该第二导电层的每一个分离的第二电极的垂直投影落在相对应的该第一导体层的每一个分离的第一电极上；以及一可变电阻材料层，配置于该第一导电层与该第二导电层之间。 ;2.如申请专利范围第1项所述之电阻式记忆体元件，其中该些第一电极的宽度互不相同。 ;3.如申请专利范围第1项所述之电阻式记忆体元件，其中该些第二电极的宽度互不相同。 ;4.如申请专利范围第1项所述之电阻式记忆体元件，其中该可变电阻材料层的材料包括有氧化铪或氧化钛。 ;5.如申请专利范围第1项所述之电阻式记忆体元件，其中该第一导电层的材料包括有半导体材料或金属材料。 ;6.如申请专利范围第1项所述之电阻式记忆体元件，其中该第二导电层的材料包括有半导体材料或金属材料。;图1所绘示为本发明第一实施例之电阻式记忆体元件的剖面图。;图2A至图2D所绘示为对图1之电阻式记忆体元件进行操作时的剖面图。;图3所绘示为本发明第二实施例之电阻式记忆体元件的剖面图。;图4所绘示为本发明第三实施例之电阻式记忆体元件的剖面图。